Samsung başta olmak üzere, Toshiba ve SK Hynix gibi birçok şirket 3D NAND yongalar üzerinde çalışıyor. Son dönemde özellikle SSD’lerde yaygın kullanılmaya başlayan bu yongalar, yakında telefonlara da entegre edilecek. Micron, mobil cihazlar ve özellikle de telefonlar için özel 3D NAND bellekler geliştirdiğini açıkladı.
Yeni nesil 3D NAND flaş bellekler, temelde daha dar yonga alanına daha yüksek kapasite sığdırmayı amaçlıyor. Micron’un bellekleri için de aynı durum geçerli. Yeni nesil Micron flaş yongalarının UFS 2.1 destekleyeceği de belirtiliyor.
UFS 2.0’ı temel alan bellekler 170 MB/sn seviyesinde yazma hızlarına erişilebiliyor. Ancak, UFS 2.1 ile birlikte bu hız 200 MB/sn’ye kadar çıkacak. Şirket, öncelikle orta ve üst seviye telefonlar için 32 GB yongalar üretecek. Bu yongaların, gelecek yıl satışa çıkacak olan bazı akıllı telefonlarda kullanılması bekleniyor.
